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        首页  ?  应用  ?  工业电子  ?  三相组串式光伏逆变器

        应 用

        三相组串式光伏逆变器
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        目前组串式光伏逆变器以其发电高效、安全可靠、管理智能、安装方便和经济性好等优势在光伏逆变市场占据一席之地。在组串式光伏逆变器的解决方案中,安森美半导体有多种器件可供选择,其中包括 SiC DIODE、SiC MOSFET、IGBT及驱动光耦等。
         
        应用框图
         
        优势
        SiC 二极管
        • 高浪涌电流容量
        • 高热导率
        • 0 反向恢复时间
        • 并联使用容易实现

         

        SiC MOSFET
        • 高系统转换效率
        • 高系统功率密度
        • 高开关速度
        • 低的系统散热要求

         

        IGBT
        • 低饱和电压 Vce(sat)
        • Vce(sat)=1.6V@Ic=75A
        • 支持 40kHZ 的开关频率
        • 参数分布集中,并联使用容易实现

         

        驱动光耦
        • 15V~30V 的宽供电电压范围
        • 35kV/μs 的共模干扰免疫力
        • 转换速度快,400ns(max)  传输延迟
        • 1414V Peak 工作隔离电压
         
        主要器件
        产品型号 描述 厂商 资料 购买
        FFSH10120ADN-F155 共阴极碳化硅(SiC)肖特基二极管 ON Semiconductor 立即购买
        FFSH15120ADN-F155 共阴极碳化硅(SiC)肖特基二极管 ON Semiconductor 立即购买
        FFSH20120ADN-F155 碳化硅肖特基二极管 ON Semiconductor 立即购买
        NTHL080N120SC1 N沟道碳化硅MOSFET ON Semiconductor 立即购买
        FGH75T65SQDTL4 650V,75A,IGBT场截止沟槽 ON Semiconductor 立即购买
        FGH75T65SQD-F155 650V,75A,场截止沟道IGBT ON Semiconductor 立即购买
        FGH75T65SQDT-F155 650V,75A,场截止沟槽IGBT ON Semiconductor 立即购买
        FOD3120SD 栅极驱动光电耦合器 ON Semiconductor 立即购买
        FOD3184V 高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器 ON Semiconductor 立即购买
        FOD3184SDV 高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器 ON Semiconductor 立即购买
         
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